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1N3064中文资料

1N3064图片

1N3064外观图

  • 大小:233.8KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:SMALL SIGNAL DIODES Thermal Characteristics Electrical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Unit V RRM Maximum Repetitive Reverse Voltage 75 V I F(AV) Average Rectified Forward Current 300 mA I FSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width = 1.0 second Pulse Width = 1.0 microsecond 1.0 4.0 A A T STG Storage Temperature Range -65 to +200 °C T J Operating Junction Temperature 175 °C Symbol Parameter Value Unit P D Power Dissipation 500 mW R θJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 300 °C/W Symbol Parameter Conditions Min. Max Units V R Breakdown Voltage I R = 5μA75 V V F Forward Voltage I F = 250μ A I F = 1mA I F = 2mA I F = 10mA 505 550 610 575 650 710 1.0 mV mV mV V I R Reverse Leakage V R = 50V V R = 50V, T A = 150°C 100 100 nA μ A C T Total Capacitance V R = 0, f = 1.0MHz 2 pF t rr Reverse Recovery Time I F = I R = 10mA, R L = 100? , I rr = 1mA 4 ns 0.079(2.0) MAX 0.020(0.52) TYP 0.165 (4.2) MAX 1.0 2(26.0) MIN.
  • 标准包装:2,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):75V
  • 电流 - 平均整流 (Io):300mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1V @ 10mA
  • 速度:快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):4ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 50V
  • 电容@ Vr, F:2pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商设备封装:DO-35
  • 包装:散装

1N3064供应商

更新时间:2022-12-31 10:24:29
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